casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TN5335N8-G
Número de pieza del fabricante | TN5335N8-G |
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Número de parte futuro | FT-TN5335N8-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TN5335N8-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 350V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 230mA (Tj) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 3V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 Ohm @ 200mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 110pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.6W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-243AA (SOT-89) |
Paquete / Caja | TO-243AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TN5335N8-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TN5335N8-G-FT |
PSMN059-150Y,115
Nexperia USA Inc.
PSMN1R0-25YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN1R0-40YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN1R2-25YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN1R2-30YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN1R4-40YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN1R5-30YL,115
Nexperia USA Inc.
PSMN1R5-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN1R7-25YLC,115
NXP USA Inc.
PSMN1R7-25YLDX
Nexperia USA Inc.
XC4005XL-2PQ100I
Xilinx Inc.
XC2VP4-5FG456C
Xilinx Inc.
EPF10K100AFC484-3
Intel
EP4CE10F17C8L
Intel
EP2AGX95DF25C6
Intel
XC6VLX240T-1FF1156C
Xilinx Inc.
XC4VFX40-10FF672C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152C
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation