casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TN5325N3-G-P002
Número de pieza del fabricante | TN5325N3-G-P002 |
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Número de parte futuro | FT-TN5325N3-G-P002 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TN5325N3-G-P002 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 250V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 215mA (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 110pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 740mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-92-3 |
Paquete / Caja | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TN5325N3-G-P002 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TN5325N3-G-P002-FT |
ZVP3306A
Diodes Incorporated
ZVNL110A
Diodes Incorporated
ZVN0545A
Diodes Incorporated
ZVN2106A
Diodes Incorporated
ZVNL110ASTZ
Diodes Incorporated
ZVN2110A
Diodes Incorporated
ZVP0545A
Diodes Incorporated
BS170P
Diodes Incorporated
ZVN4206AVSTZ
Diodes Incorporated
2N7000
ON Semiconductor
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel