casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TN5325K1-G
Número de pieza del fabricante | TN5325K1-G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-TN5325K1-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TN5325K1-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 250V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 150mA (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 110pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 360mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-236AB (SOT23) |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TN5325K1-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TN5325K1-G-FT |
PSMN5R6-60YLX
Nexperia USA Inc.
PSMN5R9-30YL,115
NXP USA Inc.
PSMN6R0-25YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN6R0-30YL,115
Nexperia USA Inc.
PSMN6R0-30YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN6R1-30YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN6R9-100YSFX
Nexperia USA Inc.
PSMN7R0-30YL,115
Nexperia USA Inc.
PSMN7R0-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN7R5-25YLC,115
NXP USA Inc.
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel