casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TN2524N8-G
Número de pieza del fabricante | TN2524N8-G |
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Número de parte futuro | FT-TN2524N8-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TN2524N8-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 240V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 360mA (Tj) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 125pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.6W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-243AA (SOT-89) |
Paquete / Caja | TO-243AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TN2524N8-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TN2524N8-G-FT |
PSMN030-60YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN038-100YLX
Nexperia USA Inc.
PSMN039-100YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN045-80YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN059-150Y,115
Nexperia USA Inc.
PSMN1R0-25YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN1R0-40YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN1R2-25YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN1R2-30YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN1R4-40YLDX
Nexperia USA Inc.
XC3S400-4TQG144C
Xilinx Inc.
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA450-BGG456
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
A42MX24-1TQG176
Microsemi Corporation
APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29C3NES
Intel
EP20K1000CF33C7N
Intel