casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TN2435N8-G
Número de pieza del fabricante | TN2435N8-G |
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Número de parte futuro | FT-TN2435N8-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TN2435N8-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 350V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 365mA (Tj) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 3V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 750mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 200pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.6W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-243AA (SOT-89) |
Paquete / Caja | TO-243AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TN2435N8-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TN2435N8-G-FT |
PSMN2R0-30YL,115
Nexperia USA Inc.
PSMN2R0-30YLE,115
Nexperia USA Inc.
PSMN3R0-30YL,115
Nexperia USA Inc.
PSMN3R2-25YLC,115
NXP USA Inc.
PSMN3R2-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN3R5-25MLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN3R5-40YSDX
Nexperia USA Inc.
PSMN3R7-25YLC,115
NXP USA Inc.
PSMN3R7-30YLC,115
NXP USA Inc.
PSMN4R0-25YLC,115
Nexperia USA Inc.
EP20K100ETC144-1N
Intel
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
10AX027E4F29I3SG
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation