casa / productos / Productos semiconductores discretos / Tiristores - SCRs / TN2010H-6T
Número de pieza del fabricante | TN2010H-6T |
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Número de parte futuro | FT-TN2010H-6T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TN2010H-6T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Estado apagado | 600V |
Voltaje - Gatillo de la puerta (Vgt) (Máx.) | 1.3V |
Corriente - gatillo de la puerta (Igt) (Max) | 10mA |
Voltaje - En estado (Vtm) (Máx.) | 1.6V |
Estado actual de encendido (It (AV)) (Max) | 12.7A |
Estado actual de encendido (It (RMS)) (Max) | 20A |
Corriente - Mantener (Ih) (Max) | 40mA |
Estado actual de apagado (máx.) | 5µA |
Corriente - No Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 197A, 180A |
Tipo SCR | Sensitive Gate |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TN2010H-6T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TN2010H-6T-FT |
VS-ST1000C18K0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1000C18K1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1000C20K0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1000C20K1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1000C22K0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1000C22K0L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1000C22K1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1000C22K1L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1000C24K0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1000C24K0L
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF6024ATC144-2N
Intel
A42MX16-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S60F672C5
Intel
EP1AGX90EF1152C6
Intel
XC5VLX220T-2FFG1738I
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152C
Xilinx Inc.
LFEC33E-3F672I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP384-CM49TR
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R4F40I3SGE2
Intel
EP1C12F324I7
Intel