casa / productos / Productos semiconductores discretos / Tiristores - SCRs / TN2010H-6FP
Número de pieza del fabricante | TN2010H-6FP |
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Número de parte futuro | FT-TN2010H-6FP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TN2010H-6FP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Estado apagado | 600V |
Voltaje - Gatillo de la puerta (Vgt) (Máx.) | 1.3V |
Corriente - gatillo de la puerta (Igt) (Max) | 10mA |
Voltaje - En estado (Vtm) (Máx.) | 1.6V |
Estado actual de encendido (It (AV)) (Max) | 12.7A |
Estado actual de encendido (It (RMS)) (Max) | 20A |
Corriente - Mantener (Ih) (Max) | 40mA |
Estado actual de apagado (máx.) | 5µA |
Corriente - No Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 197A, 180A |
Tipo SCR | Sensitive Gate |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220FPAB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TN2010H-6FP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TN2010H-6FP-FT |
25TTS12S
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10TTS08STRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10TTS08STRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TTS08STRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TTS08STRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16TTS08SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16TTS08STRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16TTS08STRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S1500-5FG456C
Xilinx Inc.
A3P600-FGG484
Microsemi Corporation
M1A3P600-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C6N
Intel
EP2AGX45DF25C4
Intel
5SGXMA7N3F45I3N
Intel
LFEC10E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-2100E-5MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C4N
Intel