casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TN0604N3-G-P013
Número de pieza del fabricante | TN0604N3-G-P013 |
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Número de parte futuro | FT-TN0604N3-G-P013 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TN0604N3-G-P013 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 700mA (Tj) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750 mOhm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 190pF @ 20V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 740mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-92-3 |
Paquete / Caja | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TN0604N3-G-P013 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TN0604N3-G-P013-FT |
BS107PSTZ
Diodes Incorporated
ZVP2106A
Diodes Incorporated
ZVN3306A
Diodes Incorporated
ZVN4424A
Diodes Incorporated
2N7000BU
ON Semiconductor
ZVN4206A
Diodes Incorporated
BS270
ON Semiconductor
ZVN2110ASTZ
Diodes Incorporated
ZVN0124A
Diodes Incorporated
ZVP2110ASTZ
Diodes Incorporated
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel