casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TN0604N3-G-P005
Número de pieza del fabricante | TN0604N3-G-P005 |
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Número de parte futuro | FT-TN0604N3-G-P005 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TN0604N3-G-P005 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 700mA (Tj) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750 mOhm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 190pF @ 20V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 740mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-92-3 |
Paquete / Caja | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TN0604N3-G-P005 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TN0604N3-G-P005-FT |
ZVN2106ASTZ
Diodes Incorporated
BS107PSTZ
Diodes Incorporated
ZVP2106A
Diodes Incorporated
ZVN3306A
Diodes Incorporated
ZVN4424A
Diodes Incorporated
2N7000BU
ON Semiconductor
ZVN4206A
Diodes Incorporated
BS270
ON Semiconductor
ZVN2110ASTZ
Diodes Incorporated
ZVN0124A
Diodes Incorporated
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel