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Microchip Technology TN0106N3-G-P003

Número de pieza de MFG
TN0106N3-G-P003
Cantidad disponible
79760 Piezas
Precio de referencia
USD 0.51088
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fabricante
Microchip Technology
Breve descripción
- MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-TN0106N3-G-P003
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
TN0106N3-G-P003 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 350mA (Tj)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 500µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 60pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor TO-92-3
Paquete / Caja TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TN0106N3-G-P003 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto TN0106N3-G-P003-FT

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