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Toshiba Semiconductor and Storage TK9J90E,S1E

Name: TK9J90E,S1E
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK9J90E,S1E
Price: 2.544 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (47 reviews)

Número de pieza de MFG: TK9J90E,S1E

Cantidad disponible: 61010 Piezas

Precio de referencia: USD 2.544

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción: - MOSFET N-CH 900V TO-3PN

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: TK9J90E,S1E.pdf

TK9J90E,S1E Presupuesto

Número de pieza del fabricante	TK9J90E,S1E
Número de parte futuro	FT-TK9J90E,S1E
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
TK9J90E,S1E Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	900V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	9A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.3 Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 900µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	46nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2000pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-3P(N)
Paquete / Caja	TO-3P-3, SC-65-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK9J90E,S1E Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	TK9J90E,S1E-FT

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