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Toshiba Semiconductor and Storage TK50P03M1(T6RSS-Q)

Name: TK50P03M1(T6RSS-Q)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK50P03M1(T6RSS-Q)
Price: 0.27144 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (765 reviews)

Número de pieza de MFG: TK50P03M1(T6RSS-Q)

Cantidad disponible: 99700 Piezas

Precio de referencia: USD 0.27144

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fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción: U-MOSVI-H MOSFET N-CH 30V 50A DP TO252-3

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: TK50P03M1(T6RSS-Q).pdf

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Número de pieza del fabricante	TK50P03M1(T6RSS-Q)
Número de parte futuro	FT-TK50P03M1(T6RSS-Q)
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	U-MOSVI-H
TK50P03M1(T6RSS-Q) Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	50A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 200µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	25.3nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1700pF @ 10V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	47W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	DP
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK50P03M1(T6RSS-Q) Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	TK50P03M1(T6RSS-Q)-FT

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