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Toshiba Semiconductor and Storage TK4R3E06PL,S1X

Name: TK4R3E06PL,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK4R3E06PL,S1X
Price: 1.584 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (12 reviews)

Número de pieza de MFG: TK4R3E06PL,S1X

Cantidad disponible: 10520 Piezas

Precio de referencia: USD 1.584

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fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción: U-MOSIX-H X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: TK4R3E06PL,S1X.pdf

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TK4R3E06PL,S1X Presupuesto

Número de pieza del fabricante	TK4R3E06PL,S1X
Número de parte futuro	FT-TK4R3E06PL,S1X
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	U-MOSIX-H
TK4R3E06PL,S1X Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	80A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.2 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 500µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	48.2nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	3280pF @ 30V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	87W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220
Paquete / Caja	TO-220-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK4R3E06PL,S1X Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	TK4R3E06PL,S1X-FT

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