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Toshiba Semiconductor and Storage TK4P55DA(T6RSS-Q)

Número de pieza de MFG
TK4P55DA(T6RSS-Q)
Cantidad disponible
80550 Piezas
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fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción
π-MOSVII MOSFET N-CH 550V 3.5A DPAK-3
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-TK4P55DA(T6RSS-Q)
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie π-MOSVII
TK4P55DA(T6RSS-Q) Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 550V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 3.5A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.45 Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.4V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 380pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 80W (Tc)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor D-Pak
Paquete / Caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK4P55DA(T6RSS-Q) Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto TK4P55DA(T6RSS-Q)-FT

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