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Toshiba Semiconductor and Storage TK4P55DA(T6RSS-Q)

Name: TK4P55DA(T6RSS-Q)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK4P55DA(T6RSS-Q)
Availability: InStock
Rating: 4.8 (326 reviews)

Número de pieza de MFG: TK4P55DA(T6RSS-Q)

Cantidad disponible: 80550 Piezas

Precio de referencia: USD 0

Nuestro precio: Tenemos un gran descuento, contáctenos

Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción: π-MOSVII MOSFET N-CH 550V 3.5A DPAK-3

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: TK4P55DA(T6RSS-Q).pdf

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Número de pieza del fabricante	TK4P55DA(T6RSS-Q)
Número de parte futuro	FT-TK4P55DA(T6RSS-Q)
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	π-MOSVII
TK4P55DA(T6RSS-Q) Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	550V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	3.5A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.45 Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.4V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	9nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	380pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	80W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	D-Pak
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK4P55DA(T6RSS-Q) Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	TK4P55DA(T6RSS-Q)-FT

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