casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TK39N60W,S1VF
Número de pieza del fabricante | TK39N60W,S1VF |
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Número de parte futuro | FT-TK39N60W,S1VF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DTMOSIV |
TK39N60W,S1VF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 38.8A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 19.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 1.9mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4100pF @ 300V |
Característica FET | Super Junction |
Disipación de potencia (max) | 270W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247 |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK39N60W,S1VF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TK39N60W,S1VF-FT |
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Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
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A42MX36-PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC10E-4QN208I
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EP1K100QC208-3N
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EP4SGX180FF35C2XN
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EP1SGX25DF1020C6
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