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Toshiba Semiconductor and Storage TK39J60W,S1VQ

Name: TK39J60W,S1VQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK39J60W,S1VQ
Price: 7.8 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (550 reviews)

Número de pieza de MFG: TK39J60W,S1VQ

Cantidad disponible: 91390 Piezas

Precio de referencia: USD 7.8

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fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción: DTMOSIV MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: TK39J60W,S1VQ.pdf

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TK39J60W,S1VQ Presupuesto

Número de pieza del fabricante	TK39J60W,S1VQ
Número de parte futuro	FT-TK39J60W,S1VQ
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	DTMOSIV
TK39J60W,S1VQ Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	38.8A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65 mOhm @ 19.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 1.9mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	4100pF @ 300V
Característica FET	Super Junction
Disipación de potencia (max)	270W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-3P(N)
Paquete / Caja	TO-3P-3, SC-65-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK39J60W,S1VQ Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	TK39J60W,S1VQ-FT

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