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Toshiba Semiconductor and Storage TK32E12N1,S1X
- Número de pieza de MFG
- TK32E12N1,S1X
- Cantidad disponible
- 55880 Piezas
- Precio de referencia
- USD 1.128
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- Fecha de envío
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- fabricante
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Breve descripción
- U-MOSVIII-H MOSFET N CH 120V 60A TO-220
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- TK32E12N1,S1X.pdf
TK32E12N1,S1X Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | TK32E12N1,S1X |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-TK32E12N1,S1X |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | U-MOSVIII-H |
| TK32E12N1,S1X Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 120V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 60A (Tc) |
| Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.8 mOhm @ 16A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 500µA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2000pF @ 60V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (max) | 98W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220 |
| Paquete / Caja | TO-220-3 |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| TK32E12N1,S1X Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | TK32E12N1,S1X-FT |
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