casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TK31J60W5,S1VQ
Número de pieza del fabricante | TK31J60W5,S1VQ |
---|---|
Número de parte futuro | FT-TK31J60W5,S1VQ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DTMOSIV |
TK31J60W5,S1VQ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 30.8A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 88 mOhm @ 15.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 1.5mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 105nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3000pF @ 300V |
Característica FET | Super Junction |
Disipación de potencia (max) | 230W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-3P(N) |
Paquete / Caja | TO-3P-3, SC-65-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK31J60W5,S1VQ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TK31J60W5,S1VQ-FT |
2SK2719(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK2744(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK2847(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK2916(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK2917(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK2967(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK2995(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3128(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3746
ON Semiconductor
2SK3906(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N2F40C2LN
Intel
5SGXMA7N3F45I3LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2L
Intel
XC2VP7-7FF672C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation