casa / productos / Protección del circuito / TVS - Tiristores / THBT20011DRL
Número de pieza del fabricante | THBT20011DRL |
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Número de parte futuro | FT-THBT20011DRL |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | THBT, TRISIL™ |
THBT20011DRL Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Breakover | 290V |
Voltaje - Estado apagado | 180V |
Voltaje - en estado | - |
Corriente - Pulso pico (8 / 20µs) | - |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | 30A |
Corriente - Mantener (Ih) | 150mA |
Numero de elementos | 3 |
Capacidad | 80pF |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
THBT20011DRL Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | THBT20011DRL-FT |
TISP4A250H3BJR-S
Bourns Inc.
TISP4A270H3BJR-S
Bourns Inc.
TISP4C115H3BJR-S
Bourns Inc.
TISP4C125H3BJR-S
Bourns Inc.
TISP4C145H3BJR-S
Bourns Inc.
TISP4C180H3BJR-S
Bourns Inc.
TISP4C220H3BJR-S
Bourns Inc.
TISP4C250H3BJR-S
Bourns Inc.
TISP4C290H3BJR-S
Bourns Inc.
TISP5080H3BJR-S
Bourns Inc.
XC3S100E-4TQG144C
Xilinx Inc.
XC2V4000-4FF1517I
Xilinx Inc.
M1A3P250-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F35I2N
Intel
EP4SE360F35I4
Intel
XC5VLX30-2FF676I
Xilinx Inc.
A42MX09-1PQ100
Microsemi Corporation
LFE2M20E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34I2LG
Intel