casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / TH58BVG3S0HTAI0
Número de pieza del fabricante | TH58BVG3S0HTAI0 |
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Número de parte futuro | FT-TH58BVG3S0HTAI0 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Benand™ |
TH58BVG3S0HTAI0 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND (SLC) |
Tamaño de la memoria | 8Gb (1G x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 25ns |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TSOP I |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TH58BVG3S0HTAI0 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TH58BVG3S0HTAI0-FT |
W971GG6KB25I
Winbond Electronics
W971GG6KB25I TR
Winbond Electronics
W971GG6SB-18 TR
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W971GG6SB-25 TR
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W971GG6SB25I TR
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W9725G6IB-25
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W9725G6JB25I
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W9725G6KB-18
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W9725G6KB-18 TR
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W9725G6KB25I
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XCKU035-1FBVA676I
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XC3S100E-4VQ100C
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M2GL090TS-1FCSG325I
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A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
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EPF10K30EFC256-3
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LFE2-20E-5F484C
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Intel