casa / productos / Resistencias / Resistencias de montaje en chasis / TGHMV10R0JE
Número de pieza del fabricante | TGHMV10R0JE |
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Número de parte futuro | FT-TGHMV10R0JE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TGHM |
TGHMV10R0JE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 10 Ohms |
Tolerancia | ±5% |
Potencia (vatios) | 300W |
Composición | Thick Film |
Coeficiente de temperatura | ±100ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C |
Caracteristicas | - |
Revestimiento, tipo de vivienda | Epoxy Coated |
Característica de montaje | Flanges |
Tamaño / Dimensión | 1.496" L x 0.984" W (38.00mm x 25.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.335" (8.50mm) |
Estilo de plomo | Quick Connects, 0.228" (5.80mm) |
Paquete / Caja | SOT-227-2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TGHMV10R0JE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TGHMV10R0JE-FT |
F40J4R0E
Ohmite
F40J500
Ohmite
F40J50R
Ohmite
F40J5K0
Ohmite
F40J5K0E
Ohmite
F40J750
Ohmite
F40J750E
Ohmite
F40J75R
Ohmite
F40J75RE
Ohmite
F40J7K5E
Ohmite
XC6SLX100T-N3FG676I
Xilinx Inc.
XCV600E-7FG900I
Xilinx Inc.
XC6SLX100-N3FG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
EP4S100G5F45I2N
Intel
EP4SE530F43I4N
Intel
XC7VX485T-2FFG1157C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA1D4F31I5N
Intel