casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / TEH100M2R50JE
Número de pieza del fabricante | TEH100M2R50JE |
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Número de parte futuro | FT-TEH100M2R50JE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TEH100 |
TEH100M2R50JE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 2.5 Ohms |
Tolerancia | ±5% |
Potencia (vatios) | 100W |
Composición | Thick Film |
Caracteristicas | Moisture Resistant, Non-Inductive, Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | 250ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | - |
Paquete / Caja | TO-247-2 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247 |
Tamaño / Dimensión | 0.620" L x 0.195" W (15.75mm x 4.95mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.825" (20.96mm) |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TEH100M2R50JE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TEH100M2R50JE-FT |
TFSF100RJE
Ohmite
TFSF10K0JE
Ohmite
TFSF1K00JE
Ohmite
TFSF1K50JE
Ohmite
TFSF20K0JE
Ohmite
TFSF270RJE
Ohmite
TFSF51K0JE
Ohmite
TFSF750RJE
Ohmite
TFH85M1K00JE
Ohmite
TEH70P100RJE
Ohmite
EX64-TQ64
Microsemi Corporation
A3P600-FGG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-1PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6LFTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C16E144A7N
Intel
5SEEBH40C4N
Intel
XC6VHX380T-2FF1923CES9945
Xilinx Inc.
XC5VLX110-1FF676I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2TQ100
Microsemi Corporation
5SGXMA3H3F35C2N
Intel