casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / TEH100M20R0JE
Número de pieza del fabricante | TEH100M20R0JE |
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Número de parte futuro | FT-TEH100M20R0JE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TEH100 |
TEH100M20R0JE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 20 Ohms |
Tolerancia | ±5% |
Potencia (vatios) | 100W |
Composición | Thick Film |
Caracteristicas | Moisture Resistant, Non-Inductive, Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | 50ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | - |
Paquete / Caja | TO-247-2 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247 |
Tamaño / Dimensión | 0.620" L x 0.195" W (15.75mm x 4.95mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.825" (20.96mm) |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TEH100M20R0JE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TEH100M20R0JE-FT |
TFSF100KJE
Ohmite
TFSF100RJE
Ohmite
TFSF10K0JE
Ohmite
TFSF1K00JE
Ohmite
TFSF1K50JE
Ohmite
TFSF20K0JE
Ohmite
TFSF270RJE
Ohmite
TFSF51K0JE
Ohmite
TFSF750RJE
Ohmite
TFH85M1K00JE
Ohmite
XC3S200A-4FT256C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-2FGG484I
Xilinx Inc.
M7A3P1000-2FGG484
Microsemi Corporation
AFS1500-FG256K
Microsemi Corporation
EP20K30EFC144-2X
Intel
5SGXMA3K3F35I4N
Intel
XC5VLX110-3FFG676C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HE-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3SG
Intel
EP1K50QC208-2N
Intel