casa / productos / Resistencias / Resistencias de montaje en chasis / TE1200B8R2J
Número de pieza del fabricante | TE1200B8R2J |
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Número de parte futuro | FT-TE1200B8R2J |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TE, CGS |
TE1200B8R2J Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 8.2 Ohms |
Tolerancia | ±5% |
Potencia (vatios) | 1200W |
Composición | Wirewound |
Coeficiente de temperatura | ±440ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 225°C |
Caracteristicas | Flame Proof, Safety |
Revestimiento, tipo de vivienda | Silicone Coated |
Característica de montaje | Brackets |
Tamaño / Dimensión | 2.362" Dia x 16.339" L (60.00mm x 415.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Estilo de plomo | Solder Lugs |
Paquete / Caja | Radial, Tubular |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TE1200B8R2J Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TE1200B8R2J-FT |
L175J5K0E
Ohmite
L175J5R0
Ohmite
L175J5R0E
Ohmite
L175J60KE
Ohmite
L175J750
Ohmite
L175J750E
Ohmite
L175J75KE
Ohmite
L175J75R
Ohmite
L175J75RE
Ohmite
L175J7K5
Ohmite
LFEC6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150T-N3FG900I
Xilinx Inc.
A3P250-1FGG256
Microsemi Corporation
5SGSMD5K1F40C2N
Intel
5SGSED8N1F45I2N
Intel
EP4SE530F43C4N
Intel
XC5VLX30-1FFG324C
Xilinx Inc.
LFEC3E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65CU17C5
Intel