casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / TA810PW680RJ
Número de pieza del fabricante | TA810PW680RJ |
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Número de parte futuro | FT-TA810PW680RJ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Power Chip® TA |
TA810PW680RJ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 680 Ohms |
Tolerancia | ±5% |
Potencia (vatios) | 10W |
Composición | Thick Film |
Caracteristicas | - |
Coeficiente de temperatura | ±50ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 180°C |
Paquete / Caja | Radial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Powerchip® |
Tamaño / Dimensión | 1.085" L x 0.240" W (27.56mm x 6.10mm) |
Altura - Sentado (Max) | 1.020" (25.91mm) |
Número de terminaciones | 4 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TA810PW680RJ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TA810PW680RJ-FT |
TAH20P10R0J
Ohmite
TAH20P150RJ
Ohmite
TAH20P15R0J
Ohmite
TAH20P1K00J
Ohmite
TAH20P1R00J
Ohmite
TAH20P220RJ
Ohmite
TAH20P22R0J
Ohmite
TAH20P2K70J
Ohmite
TAH20P2R20J
Ohmite
TAH20P33R0J
Ohmite
XCV1000E-7FG900I
Xilinx Inc.
A1020B-PLG68C
Microsemi Corporation
EP3CLS150F484I7N
Intel
XC5VSX50T-1FFG1136I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF31I7
Intel
EP3C40F780C8N
Intel
EP2S130F780C4N
Intel
EP20K60EQC208-3N
Intel