casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / TA810PW51R0J
Número de pieza del fabricante | TA810PW51R0J |
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Número de parte futuro | FT-TA810PW51R0J |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Power Chip® TA |
TA810PW51R0J Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 51 Ohms |
Tolerancia | ±5% |
Potencia (vatios) | 10W |
Composición | Thick Film |
Caracteristicas | - |
Coeficiente de temperatura | ±100ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 180°C |
Paquete / Caja | Radial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Powerchip® |
Tamaño / Dimensión | 1.085" L x 0.240" W (27.56mm x 6.10mm) |
Altura - Sentado (Max) | 1.020" (25.91mm) |
Número de terminaciones | 4 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TA810PW51R0J Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TA810PW51R0J-FT |
TAH20P100RJ
Ohmite
TAH20P10K0J
Ohmite
TAH20P10R0J
Ohmite
TAH20P150RJ
Ohmite
TAH20P15R0J
Ohmite
TAH20P1K00J
Ohmite
TAH20P1R00J
Ohmite
TAH20P220RJ
Ohmite
TAH20P22R0J
Ohmite
TAH20P2K70J
Ohmite
A3P030-2VQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-2X
Intel
5SGSED6K1F40C2N
Intel
EP4CE10E22C8
Intel
EP4S100G5F45I1
Intel
XC6VCX195T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281I
Microsemi Corporation
AGL250V2-FG144I
Microsemi Corporation
10AX115N1F40I1SG
Intel
EP1K30QC208-3
Intel