casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / TA810PW250RJ
Número de pieza del fabricante | TA810PW250RJ |
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Número de parte futuro | FT-TA810PW250RJ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Power Chip® TA |
TA810PW250RJ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 250 Ohms |
Tolerancia | ±5% |
Potencia (vatios) | 10W |
Composición | Thick Film |
Caracteristicas | - |
Coeficiente de temperatura | ±50ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 180°C |
Paquete / Caja | Radial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Powerchip® |
Tamaño / Dimensión | 1.085" L x 0.240" W (27.56mm x 6.10mm) |
Altura - Sentado (Max) | 1.020" (25.91mm) |
Número de terminaciones | 4 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TA810PW250RJ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TA810PW250RJ-FT |
TA303PA10R0J
Ohmite
TA303PA12R0J
Ohmite
TA303PA150RJ
Ohmite
TA303PA1K00J
Ohmite
TA303PA1K50J
Ohmite
TA303PA1K80J
Ohmite
TA303PA200RJ
Ohmite
TA303PA20R0J
Ohmite
TA303PA24R0J
Ohmite
TA303PA270RJ
Ohmite
XC4005XL-3TQ144C
Xilinx Inc.
M2GL025S-1FGG484I
Microsemi Corporation
5SGXMB5R1F40C1N
Intel
EP4CE6E22I7N
Intel
LFEC10E-4QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-3BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C8L
Intel
EP20K100EQI240-3
Intel
EPF8820ARC208-2
Intel