casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / TA810PW10R0JE
Número de pieza del fabricante | TA810PW10R0JE |
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Número de parte futuro | FT-TA810PW10R0JE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Power Chip® TA |
TA810PW10R0JE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 10 Ohms |
Tolerancia | ±5% |
Potencia (vatios) | 10W |
Composición | Thick Film |
Caracteristicas | - |
Coeficiente de temperatura | ±100ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 180°C |
Paquete / Caja | Radial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Powerchip® |
Tamaño / Dimensión | 1.085" L x 0.240" W (27.56mm x 6.10mm) |
Altura - Sentado (Max) | 1.020" (25.91mm) |
Número de terminaciones | 4 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TA810PW10R0JE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TA810PW10R0JE-FT |
TEH100M2R50FE
Ohmite
TEH100M100RFE
Ohmite
TEH100M15R0FE
Ohmite
TAH20P5K10JE
Ohmite
TAH20PR050JE
Ohmite
TAH20P75R0JE
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TAH20P10K0JE
Ohmite
TAH20PR220JE
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TAH20P7R50JE
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TAH20P15R0JE
Ohmite
A1020B-PQG100I
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XC2V2000-4FGG676I
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XC7A100T-1FG484C
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XC5VLX110T-2FFG1738I
Xilinx Inc.
XC7VX1140T-G2FLG1930E
Xilinx Inc.
AGL1000V2-CS281I
Microsemi Corporation
LFEC6E-4QN208I
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LFE2-12E-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
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