casa / productos / Productos semiconductores discretos / Tiristores - SCRs - Módulos / TA20081803DH
Número de pieza del fabricante | TA20081803DH |
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Número de parte futuro | FT-TA20081803DH |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TA20081803DH Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Estructura | Single |
Número de SCRs, Diodos | 1 SCR |
Voltaje - Estado apagado | 800V |
Estado actual de encendido (It (AV)) (Max) | 1800A |
Estado actual de encendido (It (RMS)) (Max) | 2820A |
Voltaje - Gatillo de la puerta (Vgt) (Máx.) | 4.5V |
Corriente - gatillo de la puerta (Igt) (Max) | 200mA |
Corriente - No Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 36500A, 40000A |
Corriente - Mantener (Ih) (Max) | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | TO-200AE Variation |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TA20081803DH Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TA20081803DH-FT |
VS-VSKL300-08PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKL500-16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT170-04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT170-08PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT170-12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT170-14PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT170-16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT230-04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT230-08PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT230-12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP1C3T100I7N
Intel
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA9N3F45C4N
Intel
EP1AGX90EF1152C6N
Intel
EP3SL340H1152C4
Intel
XC5VLX30-1FFG676CES
Xilinx Inc.
A42MX09-PL84I
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG100
Microsemi Corporation
10AX090N4F40I3SG
Intel
5AGXBB5D4F35C4N
Intel