casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SUP53P06-20-GE3
Número de pieza del fabricante | SUP53P06-20-GE3 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SUP53P06-20-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SUP53P06-20-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 9.2A (Ta), 53A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.5 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 115nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3500pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.1W (Ta), 104.2W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUP53P06-20-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SUP53P06-20-GE3-FT |
IRF1405ZTRR
Vishay Siliconix
IRF510
Vishay Siliconix
IRF610
Vishay Siliconix
IRF614
Vishay Siliconix
IRF624
Vishay Siliconix
IRF634NPBF
Vishay Siliconix
IRF644
Vishay Siliconix
IRF644N
Vishay Siliconix
IRF644NPBF
Vishay Siliconix
IRF710
Vishay Siliconix
M2GL050-1FG484
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-CM36ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AGL250V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
XC5VLX50-2FF324I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FFG1157I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-9FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I4LN
Intel
EP1C20F324C8N
Intel