casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SUM40N15-38-E3
Número de pieza del fabricante | SUM40N15-38-E3 |
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Número de parte futuro | FT-SUM40N15-38-E3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SUM40N15-38-E3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 150V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 40A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 38 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2500pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.75W (Ta), 166W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263 (D2Pak) |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUM40N15-38-E3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SUM40N15-38-E3-FT |
SIR872DP-T1-GE3
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SIR873DP-T1-GE3
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LCMXO1200E-5T144C
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A1020B-2PQ100C
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XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
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EP3CLS70U484I7
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5SGSED6K2F40C3N
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EP4CE10E22C9L
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LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel