casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SUM110N08-07P-E3
Número de pieza del fabricante | SUM110N08-07P-E3 |
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Número de parte futuro | FT-SUM110N08-07P-E3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SUM110N08-07P-E3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 75V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 110A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 105nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4250pF @ 30V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.75W (Ta), 208.3W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263 (D2Pak) |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUM110N08-07P-E3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SUM110N08-07P-E3-FT |
SIR818DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR826ADP-T1-GE3
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SIR826DP-T1-GE3
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XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
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M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
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EP1M350F780C6
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LCMXO2-2000HE-6FTG256C
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LFXP2-40E-6FN484I
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10AX066H1F34I1SG
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