casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SUD50N06-09L-E3
Número de pieza del fabricante | SUD50N06-09L-E3 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SUD50N06-09L-E3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SUD50N06-09L-E3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 50A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.3 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2650pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3W (Ta), 136W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-252, (D-Pak) |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUD50N06-09L-E3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SUD50N06-09L-E3-FT |
SIJ484DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIJA52ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIJA52DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIJA54DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIJA58DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIJA72ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIRA58ADP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SQJ148EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ158EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ401EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel