casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / STY80NM60N
Número de pieza del fabricante | STY80NM60N |
---|---|
Número de parte futuro | FT-STY80NM60N |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MDmesh™ II |
STY80NM60N Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 74A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 37A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 360nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 10100pF @ 50V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 447W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | MAX247™ |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STY80NM60N Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | STY80NM60N-FT |
STB5NK52ZD-1
STMicroelectronics
STB60NF10-1
STMicroelectronics
STI45N10F7
STMicroelectronics
STI57N65M5
STMicroelectronics
STB100NF03L-03-1
STMicroelectronics
STB80NF03L-04-1
STMicroelectronics
STI24N60M6
STMicroelectronics
STI100N10F7
STMicroelectronics
STI175N4F6AG
STMicroelectronics
STI300N4F6
STMicroelectronics