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STMicroelectronics STW58N65DM2AG

Name: STW58N65DM2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: STW58N65DM2AG
Price: 9.464 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (231 reviews)

Número de pieza de MFG: STW58N65DM2AG

Cantidad disponible: 40990 Piezas

Precio de referencia: USD 9.464

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fabricante: STMicroelectronics

Breve descripción: Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 MOSFET N-CH 650V 48A

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: STW58N65DM2AG.pdf

STW58N65DM2AG Presupuesto

Número de pieza del fabricante	STW58N65DM2AG
Número de parte futuro	FT-STW58N65DM2AG
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
STW58N65DM2AG Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	48A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65 mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	88nC @ 10V
Vgs (Max)	±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	4100pF @ 100V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	360W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247
Paquete / Caja	TO-247-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STW58N65DM2AG Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	STW58N65DM2AG-FT

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