casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / STW17N62K3
Número de pieza del fabricante | STW17N62K3 |
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Número de parte futuro | FT-STW17N62K3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SuperMESH3™ |
STW17N62K3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 620V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 15.5A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 7.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 94nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2500pF @ 50V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 190W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247-3 |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STW17N62K3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | STW17N62K3-FT |
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M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel