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STMicroelectronics STS3P6F6

Número de pieza de MFG
STS3P6F6
Cantidad disponible
67740 Piezas
Precio de referencia
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fabricante
STMicroelectronics
Breve descripción
DeepGATE™, STripFET™ VI MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
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Número de parte futuro FT-STS3P6F6
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie DeepGATE™, STripFET™ VI
STS3P6F6 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C -
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 6.4nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 340pF @ 48V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 2.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Paquete / Caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STS3P6F6 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto STS3P6F6-FT

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