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STMicroelectronics STS19N3LLH6

Name: STS19N3LLH6
Brand: STMicroelectronics
SKU: STS19N3LLH6
Availability: InStock
Rating: 4.7 (158 reviews)

Número de pieza de MFG: STS19N3LLH6

Cantidad disponible: 41980 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: STMicroelectronics

Breve descripción: DeepGATE™, STripFET™ VI MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: STS19N3LLH6.pdf

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STS19N3LLH6 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	STS19N3LLH6
Número de parte futuro	FT-STS19N3LLH6
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	DeepGATE™, STripFET™ VI
STS19N3LLH6 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	19A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.6 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 15V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1690pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	2.7W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SO
Paquete / Caja	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STS19N3LLH6 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	STS19N3LLH6-FT

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