casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / STR2N2VH5
Número de pieza del fabricante | STR2N2VH5 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-STR2N2VH5 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | STripFET™ V |
STR2N2VH5 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | - |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA (Min) |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 4.6nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 367pF @ 16V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 350mW (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23 |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STR2N2VH5 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | STR2N2VH5-FT |
STF10NM65N
STMicroelectronics
STF11N52K3
STMicroelectronics
STF11N65K3
STMicroelectronics
STF11NM60N
STMicroelectronics
STF12NM50N
STMicroelectronics
STF12NM60N
STMicroelectronics
STF12NM65
STMicroelectronics
STF12PF06
STMicroelectronics
STF13NM50N
STMicroelectronics
STF13NM60N-H
STMicroelectronics
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel