casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / STQ3NK50ZR-AP
Número de pieza del fabricante | STQ3NK50ZR-AP |
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Número de parte futuro | FT-STQ3NK50ZR-AP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SuperMESH™ |
STQ3NK50ZR-AP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 500V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 500mA (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3 Ohm @ 1.15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 280pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-92-3 |
Paquete / Caja | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STQ3NK50ZR-AP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | STQ3NK50ZR-AP-FT |
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Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
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Intel
LFEC6E-5F484C
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5SGXEA3H2F35I3LN
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