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STMicroelectronics STP80N70F6

Name: STP80N70F6
Brand: STMicroelectronics
SKU: STP80N70F6
Price: 0.67628 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (475 reviews)

Número de pieza de MFG: STP80N70F6

Cantidad disponible: 67370 Piezas

Precio de referencia: USD 0.67628

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: STMicroelectronics

Breve descripción: DeepGATE™, STripFET™ VI MOSFET N CH 68V 96A TO-220

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: STP80N70F6.pdf

STP80N70F6 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	STP80N70F6
Número de parte futuro	FT-STP80N70F6
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	DeepGATE™, STripFET™ VI
STP80N70F6 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	68V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	96A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 mOhm @ 48A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	99nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	5850pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	110W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220
Paquete / Caja	TO-220-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STP80N70F6 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	STP80N70F6-FT

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