casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / STP6NB90
Número de pieza del fabricante | STP6NB90 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-STP6NB90 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerMESH™ |
STP6NB90 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 900V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5.8A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1400pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 135W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STP6NB90 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | STP6NB90-FT |
STP120N10F4
STMicroelectronics
STP120NF04
STMicroelectronics
STP120NH03L
STMicroelectronics
STP12N50M2
STMicroelectronics
STP12N65M5
STMicroelectronics
STP12NK60Z
STMicroelectronics
STP12NM50FD
STMicroelectronics
STP12NM50N
STMicroelectronics
STP12NM60N
STMicroelectronics
STP12PF06
STMicroelectronics
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel