casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / STP26N60M2
Número de pieza del fabricante | STP26N60M2 |
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Número de parte futuro | FT-STP26N60M2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MDmesh™ M2 |
STP26N60M2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 20A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 169W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220 |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STP26N60M2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | STP26N60M2-FT |
DMT10H025SK3-13
Diodes Incorporated
DMT2004UPS-13
Diodes Incorporated
IRFD113PBF
Vishay Siliconix
SQ4005EY-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ4050EY-T1_GE3
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SQ4483BEEY-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ4483EY-T1_GE3
Vishay Siliconix
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel