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STMicroelectronics STP165N10F4

Name: STP165N10F4
Brand: STMicroelectronics
SKU: STP165N10F4
Price: 3.256 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (258 reviews)

Número de pieza de MFG: STP165N10F4

Cantidad disponible: 57660 Piezas

Precio de referencia: USD 3.256

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fabricante: STMicroelectronics

Breve descripción: DeepGATE™, STripFET™ MOSFET N-CH 100V 120A TO-220

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: STP165N10F4.pdf

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STP165N10F4 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	STP165N10F4
Número de parte futuro	FT-STP165N10F4
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	DeepGATE™, STripFET™
STP165N10F4 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	120A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.5 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	180nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	10500pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	315W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220AB
Paquete / Caja	TO-220-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STP165N10F4 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	STP165N10F4-FT

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