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STMicroelectronics STP11N60DM2

Name: STP11N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: STP11N60DM2
Price: 1.448 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (342 reviews)

Número de pieza de MFG: STP11N60DM2

Cantidad disponible: 44730 Piezas

Precio de referencia: USD 1.448

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: STMicroelectronics

Breve descripción: MDmesh™ DM2 N-CHANNEL 600 V 0.26 OHM TYP.

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: STP11N60DM2.pdf

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STP11N60DM2 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	STP11N60DM2
Número de parte futuro	FT-STP11N60DM2
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	MDmesh™ DM2
STP11N60DM2 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	10A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	420 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	16.5nC @ 10V
Vgs (Max)	±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	614pF @ 100V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	110W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220
Paquete / Caja	TO-220-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STP11N60DM2 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	STP11N60DM2-FT

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