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STMicroelectronics STLD200N4F6AG

Name: STLD200N4F6AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: STLD200N4F6AG
Price: 1.159104 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (466 reviews)

Número de pieza de MFG: STLD200N4F6AG

Cantidad disponible: 25450 Piezas

Precio de referencia: USD 1.159104

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fabricante: STMicroelectronics

Breve descripción: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: STLD200N4F6AG.pdf

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Número de pieza del fabricante	STLD200N4F6AG
Número de parte futuro	FT-STLD200N4F6AG
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6
STLD200N4F6AG Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	120A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	6.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	172nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	10700pF @ 10V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	158W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerFlat™ (5x6) Dual Side
Paquete / Caja	8-PowerWDFN
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STLD200N4F6AG Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	STLD200N4F6AG-FT

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