casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / STH6N95K5-2
Número de pieza del fabricante | STH6N95K5-2 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-STH6N95K5-2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MDmesh™ K5 |
STH6N95K5-2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 950V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.25 Ohm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 450pF @ 100V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 110W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | H2Pak-2 |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STH6N95K5-2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | STH6N95K5-2-FT |
TSM080N03PQ56 RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM089N08LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM110NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM110NB04LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM130NB06CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM130NB06LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM150NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM150NB04LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM230N06PQ56 RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM120NA03CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel