casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - IGBTs - Single / STGW30H60DFB
Número de pieza del fabricante | STGW30H60DFB |
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Número de parte futuro | FT-STGW30H60DFB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
STGW30H60DFB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 600V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 60A |
Corriente - Colector Pulsado (Icm) | 120A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 30A |
Potencia - max | 260W |
Energía de conmutación | 383µJ (on), 293µJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga de la puerta | 149nC |
Td (encendido / apagado) a 25 ° C | 37ns/146ns |
Condición de prueba | 400V, 30A, 10 Ohm, 15V |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 53ns |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STGW30H60DFB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | STGW30H60DFB-FT |
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Microsemi Corporation
EP4CE30F23I8LN
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EP4CGX30CF23C7
Intel
EP4SE530H35C3
Intel
XC7A200T-3FB676E
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-7LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C55F780C7
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