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STMicroelectronics STFI11N65M2

Name: STFI11N65M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: STFI11N65M2
Availability: InStock
Rating: 4.8 (84 reviews)

Número de pieza de MFG: STFI11N65M2

Cantidad disponible: 42120 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: STMicroelectronics

Breve descripción: MDmesh™ II Plus MOSFET N-CH 650V 7A I2PAKFP

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: STFI11N65M2.pdf

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STFI11N65M2 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	STFI11N65M2
Número de parte futuro	FT-STFI11N65M2
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	MDmesh™ II Plus
STFI11N65M2 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	7A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	670 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	12.5nC @ 10V
Vgs (Max)	±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	410pF @ 100V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	I2PAKFP (TO-281)
Paquete / Caja	TO-262-3 Full Pack, I²Pak
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STFI11N65M2 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	STFI11N65M2-FT

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