casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / STE26NA90
Número de pieza del fabricante | STE26NA90 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-STE26NA90 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
STE26NA90 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 900V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 26A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 13A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.75V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 660nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1770pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 450W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | ISOTOP® |
Paquete / Caja | ISOTOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STE26NA90 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | STE26NA90-FT |
TSM045NA03CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM045NB06CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM055N03PQ56 RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM088NA03CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM220NB06CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM220NB06LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM280NB06LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM300NB06CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM015NA03CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM018NA03CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
5SGXMA7H3F35I3
Intel
LCMXO2280E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFC7H3F35I3G
Intel
EP1C4F400C8
Intel
EP20K200EBC356-1
Intel